i23 1700V 900A 시리즈 IGBT 모듈은 클래식 ED 패키지에 있으며 i23 칩은 마이크로-피지 트렌치 게이트 기술을 채택하여 초저 손실 EON+EOFF를 달성하며 칩의 높은 전류 밀도가 직면 한 과제를 해결할 수있는 높은 단락 기능을 갖추고 있습니다 장기 작동 정션 온도 175 ° C (TVJOP)를 지원하고 NTC 온도 센서를 통합하여 고온 조건에서 안정적인 작동을 보장하고 장치의 출력 능력을 크게 증가 시키며 시스템의 전력 밀도를 크게 향상 시키며 풍력, 산업 제어 및 새로운 에너지 분야에 획기적인 솔루션을 제공합니다

제품 모델

• SISD0900ED170I23

제품 기능

• i23 초 저장 손실, 마이크로 미세 트렌치 게이트 IGBT 칩셋

• 강도 AI2O3 절연 세라믹 기판

• 낮은 열 저항 구리베이스 플레이트

• 내부 임피던스 및 터미널 온도 상승을 크게 줄이기 위해 산업 표준 포장 최적화

경쟁 우위

• 전력 반도체 연구 및 개발에 대한 수년간의 경험에 따라 최적화 된 IGBT 및 다이오드 칩셋 소유

• 900A 고전류 전력 모듈 포장 설계 : 구리 와이어 바인딩 + 대규모 지역 전력 터미널 최적화, 전류 운반 및 열산 기능 개선

• 단일 모듈은 900A 고전류 출력, 단순화 시스템 설계 및 시스템 종합 비용 감소를 지원합니다

• 크로스 도메인 고성능 솔루션, 다각화 된 응용 프로그램 시나리오의 유연한 일치

• 비즈니스 연속성을 보장하기위한 생산 및 품질 보증 시스템

응용 프로그램 필드

• 풍력

• 산업 제어

• SVG

• 고전압 주파수 변환

• 고전압 Fed Energy Storage

• Rail Transit

• 전력 품질

1700V 900A I23 Ed 封装半桥 itbt 模块, https://wwwswiss-semcom/, 查阅详情、索取样品。